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EMC測驗電波暗室的性能目標
- 2019-05-15-

EMC測驗電波暗室的性能目標

1)歸一化場所衰減(NSA)測驗:

       電波暗室在墻面和天花板的鐵氧體及角錐吸波資料裝置完畢后,應該進行場所性能的測驗。NSA是評價電波暗室性能的中心目標,它的結果直接決議了電波暗室是否可以用于進行30~1000MHz的輻射打擾測驗。NSA測驗有離散頻率法和掃頻法兩種辦法。掃頻法使用一個帶盯梢源、具有最大值堅持功能的頻譜分析儀進行掃頻測驗,可大大節約測驗時間。

2)80MHz~1GHz場均勻性(FU)測驗使用電波暗室進行輻射抗擾度測驗時,要確保受試設備周圍發生均勻的場。因此,有必要進行測驗面場均勻性的校準,合格后方可進行抗擾度測驗。在進行場均勻性測驗時,要求在發射天線與受試設備之間的地上上鋪設吸波資料,避免地上反射影響場均勻性,這時半電波暗室就成了全電波暗室。

3)1~18GHz場所電壓駐波比(SVSWR)測驗在對電腦及其外圍產品進行1GHz以上輻射打擾測驗時,需求使用全電波暗室,這時需求在半電波暗室的接地平板上鋪設吸波資料。一個全電波暗室若用于測驗產品1GHz以上的輻射打擾,有必要經過場所電壓駐波比(SVSWR)測驗。

       SVSWR測驗需求的測驗方位是由測驗靜區的尺寸決議的。這些方位是一個有6個測驗點的序列,這6個測驗點坐落指向接納天線參考點的連線上。

       F1~F6即前端方位1~6。前端方位在測驗靜區中心與接納天線參考點的連線上。要確認這些方位,首先要確認F6,它坐落測驗區域的最前端。F6在測驗軸線上,該點與接納天線參考點的間隔為測驗間隔D。Fs~F1以F6為參考點,違背接納天線方向進行放置:Fs=F6+違背接納天線2cm;F4=F。+違背接納天線10cm;F3=F6+違背接納天線18cm;F2=F6+違背接納天線30cm;F1=F6+違背接納天線40cm。

       R1~R6、LI~L6、C1~C6分別是凈區右側方位、左邊方位、中心方位的1~6個測驗點,其方位的確認與前端方位相同。以上這些測驗方位,一般僅在靜區的中心高度。但在測驗靜區的頂部可能會進行SVSWR測驗,該測驗取決于測驗區域的高度。

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